서울대학교

1975년 본교 전기공학과를 졸업하신 권오현 선생께서는 박사학위 취득 후 1985년 삼성전자 반도체 분야 연구원으로서 반도체 분야 신기술 개발에 본격적으로 참여하기 시작하셨습니다. 선생은 1980년대 4M DRAM 개발과 1990년대 64M DRAM 세계 첫 개발에 주도적으로 참여하면서 삼성전자가 256M, 1G DRAM 등 4세대 반도체 기술에서 세계적 선도 기업으로 도약하는 기틀을 마련하셨습니다.
선생은 국제적인 반도체 전문가로 반도체 신기술 개발 및 신시장 개척을 위한 주도적 역할을 해 오셨습니다. 이를 통해 우리나라 국가 경쟁력의 획기적 향상과 국제적 위상 제고에 크게 기여하셨습니다.